![vesel-picture](static/picture/vesel-picture.jpg)
VIGO提供常见波长的VCSEL外延,例如850nm,940nm,1550nm;也可提供结构定制。可提供外延整片或者DIE;无论是处于产品设计的概念阶段,需要对现有产品进行创新升级,还是寻求开箱即用的解决方案。 我们都可以为客户提供研发项目的技术支持,并提出新的方法和途径来生产符合客户要求的外延结构。
850 nm VCSEL 外延结构具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低阈值电流和适当的光谱特性,适用于电信和光通信应用。
主要特点
厚度公差与规格 <0.01%
载体浓度公差 <+/-10%
标准波长公差<+/-5nm
反射率下降位置 <+/-3nm(不包括5mm边环)
芯片的显微镜图像:
芯片尺寸:
产品性能
VCSEL,切割前的裸片,T=20 | 当前孔径Φ=~4μm
电光特性:
PARAMETER | SYMBOL | TEST COND. | SAMPLE NO.21_1L |
Emission wavelength | λR[nm] | POP=2.0mW | 854 |
Threshold current | ITh [mA] | —— | 0.7 |
Threshold voltage | VTH [V] | —— | 1.95 |
Laser current | lop [mA] | POP=2.0mW | 2.63 |
Laser voltage | Uop [V] | POP=2.0mW | 2.37 |
Slope efficiency | ns [W/A] | —— | 1.02 |
Output power | Popt [mW] | POP=6.0mW | 4.93 |
Differential series resistance | Rs [2] | POP=2.0mW | 180 |
Thermal resistance(VCSEL chip) | Rthremal[K/mW] | —— | 6.2-7.8 |
Side mode suppression ratio | SMSR | POP=2.0mW | 25 |
Wavelength tuning over temperature | [nm/K] | —— | 0.052 |
Wavelength tuning over current | dλ/dl [nm/mA] | —— | 0.72-0.85 |
绝对最大额定值:
温度:储存(-40℃至120℃),工作(-20℃至110℃)
电气:反向电压(5V)CW电流(10mA),脉冲电流(7mA)
FP-DIP的波长分布
MQW的光致发光扫描
SIMS-二次离子质谱
Si和C掺杂剂的分布。 DBR 和 QW 中的可见 Al(x)Ga(1-x)As 层/有源区中的势垒
光谱特性
电光特性
产品应用
面向光通信、3D视觉、人脸识别、原子钟、磁强计、激光雷达、医疗医美、AR/VR等等行业厂商的VCSEL外延需求