PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36

1–14µm,HgCdTe三级热电冷却,光学浸没光导探测器

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电探测器,具备很好的稳定性。该材料经过优化,可在12µm时实现最佳性能,用高半球GaAs微透镜来提高探测能力,光电导检测器应在最佳偏置电压和电流模式下工作。低频率下的性能由于1/f噪声而减小,3°楔形硒化锌(wZnSeAR)防反射涂层窗口可防止不必要的干扰效应。

规格参数

参数(Ta = 20°C) 探测器类型
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36
光敏元件材料  HgCdTe
最低截止波长 λcut-on (10%), µm ≤2.0
峰值波长 λpeak, µm 10.0±0.2
优化波长 λopt, µm 12
最高截止波长 λcut-off (10%), µm 14.0±0.2
探测率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W ≥1.6×109
探测率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W ≥9.0×108
电流响应度 Ri(λpeak), A/W ≥0.11
电流响应度 Ri(λopt), A/W ≥0.07
时间常数 τ, ns ≤5
阻抗 R, Ω ≤300
偏置电压 Vb, V ≤1.8
1/f 噪声频率 fc, kHz ≤20
芯片工作温度 Tdet, K ~210
光敏面积 Ao, mm×mm 1×1
封装 TO8
接收角度 Φ ~36°
窗片 wZnSeAR

光谱响应

特征和应用领域

特征

•1至14µm的宽光谱范围

•高响应度

•大动态范围

•卓越的长期稳定性和可靠性

•快速交付

 

应用领域

•FTIR光谱