![a25e0bcf-ae10-4ab2-9935-fda640ca5467](static/picture/a25e0bcf-ae10-4ab2-9935-fda640ca5467.jpg)
nanoplus 最新推出的InGaAsSb(锑砷化铟镓)光电二极管,以分子束磊晶法(MBE)成长锑砷化铟镓作为参杂材料,相比传统砷化铟镓具有更好的结晶品质和传输特性。光电二极管工作在1000nm-2600nm的波长范围内,峰值波长为1880nm,采用TO5封装,有效面积为Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm,具有响应速度快、灵敏度高等特点,非常适合用于高灵敏度气体分析、过程控制和环境监测等领域。
主要特点
- 波长范围1000nm-2600nm
- Ø1mm,Ø2mm和Ø3mm有效面积
- 采用TO5封装,带或不带制冷器
应用服务
- 高灵敏度气体分析
- 过程控制、环境监测
- 各种分析仪器等
技术参数
nanoplus InGaAsSb(锑砷化铟镓) 光电二极管主要参数特性:
主要参数特性 (T = 25 °C) | 符号 | 单位 | 标准 |
Spectral response range | I | nm | 1000-2600 |
Peak sensitivity wavelength | Ip | nm | 1880 |
Peak responsivity | Rp | A/W | 0.66 |
Dark current without bias | ID | nA | 95 |
Junction capacitance | CJ | pF | 41 |
Shunt resistance | Rsh | Ω | 17 |